El líder mundial surcoreano en tecnología, Samsung Electronics Co., Ltd., presentó una amplia gama de soluciones de memoria automotriz de vanguardia  para vehículos eléctricos. La nueva línea incluye un SSD de ball grid array (BGA) NVMe de tercera generación PCIe de 256 gigabytes (GB), DRAM GDDR6 de 2GB y DRAM DDR4 de 2GB para sistemas de información y entretenimiento de alto rendimiento, así como DRAM GDDR6 de 2GB y Almacenamiento Flash Universal (UFS) de 128GB para sistemas autónomos de conducción.

Samsung desarrolló internamente el controlador y el firmware SSD BGA de 256GB,
para un rendimiento optimizado, ofreciendo una velocidad de lectura secuencial de 2100
megabytes por segundo (MB/s) y una velocidad de escritura secuencial de 300MB/s. A su vez, la DRAM GDDR6 de 2GB presenta una velocidad de datos por pin de hasta 14 gigabit por segundo (Gbps). Estas velocidades y ancho de banda excepcionales admitirán el procesamiento complejo de diversas aplicaciones multitudinarios, así como grandes cantidades de datos de conducción autónoma, contribuyendo a una experiencia de conducción más segura, dinámica y cómoda.

Por otro lado,las nuevas soluciones automotrices de Samsung cumplen con la calificación AEC-Q100, el estándar mundial de confiabilidad automotriz, lo que les permite operar de manera estable en temperaturas extremas que van desde -40°C a +105°C – un requisito especialmente crucial para los semiconductores automotrices.