Samsung anunció este jueves que comenzó la producción en masa de la segunda generación de chips de memoria DRAM de 10 nanómetros, para mejorar la eficiencia y reducir el consumo de la batería en sus teléfonos premium y otras aplicaciones móviles.

Comparado con los chips de memoria DRAM móviles más utilizados en los equipos móviles actuales (LPDDR4X de 1x-nm y 16Gb), la DRAM LPDDR4X de 2ª generación ofrece hasta un 10% de reducción de energía y mantiene la misma velocidad de datos de 4,266 megabits por segundo.

“El advenimiento de la DRAM móvil de 10nm permitirá soluciones significativamente mejoradas para los dispositivos móviles insignia de próxima generación que deberían llegar al mercado a fines de este año o en la primera parte de 2019”, dijo Sewon Chun, vicepresidente senior de Ventas de Memoria & Marketing en Samsung Electronics.

“Continuaremos haciendo crecer nuestra línea de DRAM premium para liderar el segmento de memoria de ‘alto rendimiento, alta capacidad y baja potencia’ para satisfacer la demanda del mercado y fortalecer nuestra competitividad comercial”, añadió.

La compañía surcoreana expandirá su línea de DRAM premium basada en en el proceso de 1y-nm en más del 70 por ciento. Esta iniciativa inició con la producción masiva del primer servidor DRM DDR4 de 8GB y 10nm en noviembre pasado y continúa con este chip de memoria móvil LPDDR4X de 16Gb ocho meses más tarde. 

Samsung creó un paquete DRAM móvil LPDDR4X de 8GB al unir cuatro de los chips DRAM LPDDR4X 16Gb de 10nm (16Gb = 2GB). Este paquete de cuatro canales puede realizar una velocidad de datos de 34.1 GB por segundo y su grosor se ha reducido más del 20 por ciento desde el paquete de primera generación, permitiendo a los OEM diseñar dispositivos móviles más delgados pero más efectivos. 

Con sus avances LPDDR4X, la empresa ampliará rápidamente su cuota de DRAM móvil en el mercado al proporcionar una variedad de productos de alta capacidad, incluidos paquetes LPDDR4X de 4GB, 6GB y 8GB. 

En línea con su lanzamiento de LPDDR4X clase 10nm, Samsung comenzó a operar una nueva línea de producción de DRAM en Pyeongtaek, Corea, para asegurar un suministro estable de todos los chips DRAM móviles, en respuesta a la creciente demanda. 

Historial de producción de Samsung de DRAM móvil desde 2012 
1) 2012.08 2GB 30nm-class 4Gb LPDDR3, 1600Mb / s 
2) 2013.04 2GB 20nm-class (2y) 4Gb LPDDR3, 2133Mb / s 
3) 2013.11 3GB 20nm-class (2y) 6Gb LPDDR3, 2133Mb / s 
4) 2014.09 3GB 20nm-class (2z) 6Gb LPDDR3, 2133Mb / s 
5) 2014.12 4GB 20nm-class (2z) 8Gb LPDDR4, 3200 Mb / s 
6) 2015.08 6 GB 20nm-class (2z) 12Gb LPDDR4, 4266Mb / s 
7) 2016.09 8 GB 10nm-class (1x) 16Gb LPDDR4, 4266 Mb / s 
8) 2018.07 8 GB 10nm-class (1y) 16Gb LPDDR4X, 4266Mb / s