Samsung presenta soluciones de memoria V-NAND

Samsung Electronics, anunció nuevas soluciones de memoria V-NAND (Vertical NAND) y tecnología que abordarán los exigentes requisitos de la próxima generación de sistemas de procesamiento de datos y almacenamiento. Con el rápido aumento de las aplicaciones de uso intensivo de datos en muchas industrias que utilizan tecnologías de inteligencia artificial e Internet de Cosas (IoT), el papel de la memoria flash se ha vuelto extremadamente crítico al acelerar la velocidad a la que se puede extraer la información para el análisis en tiempo real.

En la inauguración de Samsung Tech Day y en la Cumbre de Memoria Flash de este año, Samsung presenta soluciones para abordar los desafíos de procesamiento de datos de última generación centrados en la última tecnología V-NAND de la compañía y en una serie de unidades de estado sólido. Estas soluciones estarán a la vanguardia de habilitar las tareas más intensivas en datos actuales, como la computación de alto rendimiento, el aprendizaje automático, la analítica en tiempo real y la computación paralela.

“Nuestras nuevas y muy avanzadas tecnologías V-NAND ofrecerán soluciones más inteligentes para un mayor valor proporcionando altas velocidades de procesamiento de datos, aumento de la escalabilidad del sistema y latencia ultrabaja para las aplicaciones más exigentes de la nube”, dijo Gyoyoung Jin, vicepresidente ejecutivo y Jefe de negocios de memoria de Samsung Electronics. “Seguiremos siendo pioneros en la innovación flash aprovechando nuestra experiencia en la avanzada tecnología de memoria 3D-NAND para mejorar significativamente la forma en que se procesan datos ricos en información.

Samsung Heralds Era de 1-Terabit (Tb) V-NAND Chip

Samsung anunció un chip de 1Tb V-NAND que espera estar disponible el próximo año. Inicialmente mencionado en 2013, durante la presentación de la primera NAND 3D de la industria, Samsung ha estado trabajando para permitir que sus tecnologías de memoria de núcleo para realizar un terabit de capacidad en un solo chip utilizando una estructura V-NAND.

La llegada de un chip 1Tb V-NAND el próximo año permitirá 2TB de memoria en un solo paquete V-NAND apilando 16 matrices de 1Tb y representará uno de los avances más importantes de la memoria de la última década.

 

SSD NGSFF (factor de forma pequeña de siguiente generación) para mejorar la capacidad de almacenamiento del servidor y IOPS

Samsung está probando el primer SSD NGSFF de 16 terabytes (TB) de la industria, lo que mejorará drásticamente la capacidad de almacenamiento de memoria y las IOPS (operaciones de entrada / salida por segundo) de los servidores rack 1U de hoy. Midiendo 30,5 mm x 110 mm x 4,38 mm, el Samsung NGSFF SSD ofrece servidores de centro de datos de gran escala con opciones de escala y de utilización del espacio sustancialmente mejoradas.

La utilización de la nueva unidad NGSFF en lugar de unidades M2 en un servidor 1U puede aumentar la capacidad de almacenamiento del sistema cuatro veces. Para resaltar las ventajas, Samsung demostró un sistema de servidor de referencia que entrega 576 TB en un rack 1U, utilizando 36 SSD NGSFF de 16 TB. El sistema de referencia 1U puede procesar alrededor de 10 millones de IOPS de lectura aleatoria, que triplica el rendimiento IOPS de un servidor 1U equipado con SSDs de 2,5 pulgadas. Se puede lograr una capacidad de petabyte utilizando sólo dos de los sistemas de 576 TB.

Samsung planea comenzar la producción en masa de sus primeros SSD NGSFF en el cuarto trimestre de este año, mientras trabaja para estandarizar el factor de forma con los socios de la industria.

 

 

Z-SSD: optimizado para sistemas que requieren una respuesta rápida de memoria

Tras la introducción del año pasado de su tecnología Z-SSD, Samsung presentó su primer producto Z-SSD, el SZ985. Con una latencia ultrabaja y un alto rendimiento, el Z-SSD se utilizará en centros de datos y sistemas empresariales que se ocupan de tareas extremadamente grandes e intensivas en datos, como análisis de datos en tiempo real y almacenamiento en caché de alto rendimiento. Samsung está colaborando con varios de sus clientes en la integración de la Z-SSD en las próximas aplicaciones.

 

El Samsung SZ985 requiere sólo 15 microsegundos de tiempo de latencia de lectura que es aproximadamente un séptimo de la latencia de lectura de un NVMe *** SSD. En el nivel de aplicación, el uso de Z-SSDs de Samsung puede reducir el tiempo de respuesta del sistema en hasta 12 veces, en comparación con el uso de SSD NVMe.

 

Con su rápido tiempo de respuesta, el nuevo Z-SSD jugará un papel fundamental en la eliminación de los cuellos de botella de almacenamiento en la empresa y en la mejora del coste total de propiedad (TCO).

 

 

Nuevo enfoque para el almacenamiento con tecnología SSD de valor clave patentada

Samsung también introdujo una tecnología completamente nueva llamada SSD de clave de valor. El nombre hace referencia a un método altamente innovador de procesar conjuntos de datos complejos. Con el creciente uso de los servicios de redes sociales y las aplicaciones IoT, que contribuyen a la creación de datos de objetos, como archivos de texto, imagen, audio y vídeo, la complejidad en el procesamiento de estos datos aumenta sustancialmente.

 

Hoy en día, los SSDs convierten los datos de objetos de amplios tamaños en fragmentos de datos de un tamaño específico llamados “bloques”. El uso de estos bloques requiere procesos de implementación que consisten en pasos LBA (direccionamiento de bloques lógico) y PBA (direccionamiento de bloques físicos). Sin embargo, la nueva tecnología SSD de Key Value de Samsung permite a los SSD procesar datos sin convertirlos en bloques. En cambio, el valor de clave de Samsung asigna una “clave” o ubicación específica a cada “valor” o pieza de datos de objeto, independientemente de su tamaño. La clave permite el direccionamiento directo de una ubicación de datos, que a su vez permite que el almacenamiento sea escalado. La tecnología Key Value de Samsung permite a los SSD escalar (verticalmente) y escalar (horizontalmente) en rendimiento y capacidad. Como resultado, cuando se leen o escriben datos, un SSD de valor clave puede reducir los pasos redundantes,

 

 

* Nota del editor: Samsung Tech Day se presentó en la sede de Samsung en Silicon Valley el lunes 7 de agosto, mostró “Samsung @ Heart of Storage” y proporcionó información sobre los planes de la empresa para ofrecer productos informáticos que soportan la gran explosión de datos. Conjuntos de datos en tiempo real y proporcionan capacidades de datos rápidas y en tiempo real. El evento también acogió a un panel de ejecutivos, clientes y analistas, y mostró demostraciones de productos en el ecosistema de productos integral de Samsung.

 

** Nota del Editor: Flash Memory Summit (FMS), producido por Conference ConCepts, muestra las principales aplicaciones, las principales tecnologías y los principales proveedores que están impulsando la memoria no volátil multimillonaria y los mercados SSD. FMS se informa al mundo ‘ evento más grande s con las tendencias, innovaciones, y personas influyentes que impulsan la adopción de memoria flash en aplicaciones exigentes de almacenamiento de la empresa, así como en los teléfonos inteligentes, tabletas y sistemas móviles e integrados. Para obtener más información, visite www.flashmemorysummit.com/

 

*** Nota de los editores: Frecuentemente abreviada como NVMe, NVM Express (Memoria no volátil Express) es una interfaz de controlador de host escalable y de alto rendimiento con un conjunto simplificado de ‘registro y comando’ optimizado para sistemas empresariales y clientes utilizando PCIe SSDs. Para obtener más información, visite www.nvmexpress.org